Advanced Power Electronics Corp.
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- DIP8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
143 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 110
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,008
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
79 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 110
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,008
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
78 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- DirectFET
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 110
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0012
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,8
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
798 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 50
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,04
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 300
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200
421 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220-3
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 21
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,19
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 208
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 650
629 руб.
шт
CHANGJIANG
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-92
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,4
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
12 руб.
шт
NXP
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 7,5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,35
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 0,8...3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
8 руб.
шт
Hitachi
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- ТО-3P
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,4
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 100
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 160
1 022 руб.
шт
Sanyo
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 30
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
130 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-92
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,1
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 50
47 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- ТО-3
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 150
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 900
281 руб.
шт
NEC
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 60
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0067
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 52
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 40
43 руб.
шт
UMW
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 30
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,23
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 55
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
48 руб.
шт
HotTech
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 75
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 650
54 руб.
шт
Alpha & Omega
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOIC-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 11,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,014
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
70 руб.
шт
Alpha & Omega
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOIC-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,026
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
61 руб.
шт
Alpha & Omega
- Корпус транзистора
- SOIC-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 11,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,014
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
82 руб.
шт
Alpha & Omega
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOIC-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 11
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,016
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3,1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,85
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
61 руб.
шт
Alpha & Omega
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOIC-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,020
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,7
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
61 руб.
шт
Alpha & Omega
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOIC-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9,4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,023
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3,1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
61 руб.
шт
Alpha & Omega
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOIC-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 13
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0093
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3,1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,62
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
61 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 185
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0021
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 163
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 40
185 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-92
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,35
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
27 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,22
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 6
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,36
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 50
7.50 руб.
шт
NEX-NXP
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOT-363
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,32
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,9
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,32
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
8 руб.
шт
NEX-NXP
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOT-323
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,32
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,9
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,31
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
6 руб.
шт
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 30
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,04
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 75
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 50
119 руб.
шт
Wuxi
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,4
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 72
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200
82 руб.
шт
MITSUBISHI
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 200
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 400
- Корпус транзистора
- TO-220FN
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 45
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 7
182 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,03
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
66 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 3,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,1
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
109 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 50
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 312
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 1200
- Корпус транзистора
- ТО-3P
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 5,5
675 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 80
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 349
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 600
- Корпус транзистора
- TO-247
349 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 120
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 600
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 600
- Корпус транзистора
- TO-247
848 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 50
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0025
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 136
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
57 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 50
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,023
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 120
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
53 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 12
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 48
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 800
145 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,8
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 44
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
140 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,8
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 44
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
77 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 200
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 25
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 430
- Корпус транзистора
- TO-220SIS
148 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 50
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 230
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 600
352 руб.
шт
HotTech
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 120
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0026
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 110
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,7
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 40
68 руб.
шт
HotTech
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 2,6
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 23
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2,3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 650
42 руб.
шт
HotTech
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- PDFN5*6
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 150
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,003
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 75
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
33 руб.
шт
HotTech
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- PDFN5*6
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 79
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,008
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 100
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,8
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
84 руб.
шт
HotTech
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- PDFN3*3-8l
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 30
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0053
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
20 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 20
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 310
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 1350
633 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 75
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 480
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 1200
1 576 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 50
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 274
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 650
787 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220-3
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0039
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 94
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 40
88 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,4
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 32
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 800
103 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-251
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,4
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 22
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 700
41 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- HSOF8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 300
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0075
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 375
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
726 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 15
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,34
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 208
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 900
1 300 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 42
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,036
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 160
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
176 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 202
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,004
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 40
118 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 57
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,023
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
79 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 17
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,09
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 70
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
83 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-263
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 17
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,09
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 70
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
146 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 28
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,077
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 150
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
56 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 3,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 36
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200
44 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,3
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 82
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200
103 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,13
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 50
51 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
73 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4,9
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
67 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- NP-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 2,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
85 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- NP-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 1,4
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
67 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,023
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
79 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- NP-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,6
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,029
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
92 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- NP-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,029
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
92 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,03
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
128 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4,7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
70 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- NP-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4,7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
79 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,018
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
180 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 3,6
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,073
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 80
102 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 10
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,55
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 400
43 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8,7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,022
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
80 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 13
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,010
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,8
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
56 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 15
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0075
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
137 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 15
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,008
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 12
203 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- NP-канал
- Корпус транзистора
- Micro8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 2,4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,014
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 1,25
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
50 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,017
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
61 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 3,7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,078
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
226 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 13,6
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,009
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
72 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 20
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,004
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
119 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 10
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,013
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 80
92 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,85
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
43 руб.
шт
VISHAY
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,85
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
176 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 120
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,003
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 300
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
139 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 120
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0045
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 370
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
115 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 104
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0093
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 380
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 150
498 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 140
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0056
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 330
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
207 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- PQFN 5x6 mm
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 100
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0059
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 156
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 75
397 руб.
шт
VISHAY
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOT-223
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 2,7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3,1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
55 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 110
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,008
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
321 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 20
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,18
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 150
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200
397 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 30
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,085
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 190
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200
279 руб.
шт
VISHAY
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 20
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,27
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 280
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
325 руб.
шт
VISHAY
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,1
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 190
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 1000
360 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9,4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,21
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 48
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
55 руб.
шт
UMW
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 86
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0052
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 79
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,8
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
48 руб.
шт
VISHAY
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 4,4
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 42
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
90 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 49
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,017
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 110
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
53 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 104
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,008
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
70 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 195
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0014
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 375
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 40
328 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOT-223
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 3,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,04
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
40 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,035
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 1,25
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
11 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 42
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,027
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 110
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
85 руб.
шт
IXYS
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,8
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 150
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
86 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-92
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 40
35 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-92
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,06
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,35
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 25
73 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,72
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 36
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
221 руб.
шт
VISHAY
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- PowerPAK SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 26
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,045
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 64
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 150
440 руб.
шт
VISHAY
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2N-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 3,7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,08
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,4
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
82 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,025
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
12 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- D2PAK
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 110
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,010
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 312
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
92 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- D2PAK
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 17
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 190
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3,75
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
127 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- D-PAK
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 70
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
75 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- D-PAK
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,15
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 60
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 650
127 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 14
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,55
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 25
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
110 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 14
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,3
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 35
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 800
782 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 13
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,28
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 25
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
188 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-263
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 30
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,4
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 150
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 400
294 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 25
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,4
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 400
91 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 375
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
430 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 200
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0037
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 310
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 40
126 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,9
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 30
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 800
159 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,8
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 30
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3,75
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 800
166 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 30
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3,75
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 800
186 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,72
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 30
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3,75
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
83 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 35
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,029
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 70
478 руб.
шт
Wayon Corporation
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,012
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 133
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 80
86 руб.
шт
Wayon Corporation
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- D-PAK
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,012
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 133
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 80
57 руб.
шт
Интеграл
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-92
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,18
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 10
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 240
115 руб.
шт
SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F-3L
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 12
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,65
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 51
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 650
108 руб.
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-92
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,1
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,35
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 0,5...7,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 25
69 руб.
Toshiba
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-251
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 20
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
119 руб.
Toshiba
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 20
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
128 руб.
Alpha & Omega
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOIC-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 13,7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,010
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3,1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
61 руб.
Alpha & Omega
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 3
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 54,4
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
118 руб.
Fairchild
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 80
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 349
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 600
- Корпус транзистора
- TO-247
304 руб.
Fairchild
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 120
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 600
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 600
- Корпус транзистора
- TO-247
399 руб.
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,1
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 300
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 80
108 руб.
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 10,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,53
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 136
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 400
140 руб.
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 2,3
130 руб.
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 48
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
51 руб.
Fairchild
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 75
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 463
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 600
- Корпус транзистора
- TO-247
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 2,6
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 5,2
153 руб.
Toshiba
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 200
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 600
85 руб.
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 51
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,026
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 180
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
108 руб.
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,65
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 28
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
128 руб.
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 84
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,011
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
56 руб.
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 18
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,18
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200
38 руб.
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- NP-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,029
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
85 руб.
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0067
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 165
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 80
114 руб.