8 905 915 7070

info@vsekomponenti.ru

Транзистор IRF1010E N-канал

International Rectifier
картинка Транзистор IRF1010E N-канал | ВсеКомпоненты.ру
38 руб.
шт

Транзистор IRF1010E N-канал

HEXFET® Power MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)    60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C    84A
Operating Temperature 175°C
Power - Max     200W

Vgs(th) (Max) @ Id    4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs    11 mOhm @ 43A, 10V
FET Feature    Standard
FET Type    MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия    HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status    Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs    120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds    3210pF @ 25V

Тип монтажа    Выводной
Корпус (размер)    TO-220