JSMSEMI
- Тип транзистора
- Полевой
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,1
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 190
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 1000
Транзистор IRFPG50PBF N-канал
MOSFET N-CH 1000V 6,1A 2Ω TO-247AC
- Тип транзистора
- Полевой
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,1
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 190
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 1000
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- PG-TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 1,8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 42
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 50
196 руб.
шт
MagnaChip Semiconductor
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 100
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 428
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 650
- Корпус транзистора
- TO-247
386 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,85
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
43 руб.
шт