MITSUBISHI
- Тип транзистора
- IGBT
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 200
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 400
- Корпус транзистора
- TO-220FN
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 45
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 7
Транзистор CT40KM N-канал
Nch IGBT for Strobe Flasher
Collector-emitter voltage Vces 400 V
Peak gate-emitter voltage Vgem 40 V
Collector current (Pulse) Icm 200 A
Maximum power dissipation Pc 45 W
TO-220FN package
High Speed Switching
- Тип транзистора
- IGBT
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 200
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 400
- Корпус транзистора
- TO-220FN
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 45
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 7
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 120
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,003
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 300
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
139 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 14
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,55
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 25
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
110 руб.
шт
Wayon Corporation
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,012
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 133
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 80
86 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 12
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 48
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 800
145 руб.
шт