International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,13
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 50
Транзистор IRF7103TRPBF 2N-канал
MOSFET Dual N-CH 50V 3A 0,13Ω 8-Pin SO8
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,13
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 50
Toshiba
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,9
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 40
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
89 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,85
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
43 руб.
шт
Fujitsu
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- ТО-3
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 16
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,8
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 44
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
440 руб.
шт