Toshiba
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 50
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 230
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 600
Транзистор GT50JR22 N-канал
Silicon N-Channel IGBT; 600V; 50A; 230W; tf=0.05us
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 50
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 230
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 600