- Тип транзистора
- Полевой
- Корпус транзистора
- DirectFET
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 110
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0012
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,8
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
- Тип транзистора
- Полевой
- Корпус транзистора
- DirectFET
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 110
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0012
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,8
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
0%
-
Тип транзистора
-
Полевой
-
Проводимость
-
N-канал
-
Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
-
120
-
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
-
0,003
-
Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
-
300
-
Пороговое напряжение на затворе, В
-
3
-
Напряжение сток-исток Uси (max), В
-
60
139 руб.
139 руб.
0%
-
Тип транзистора
-
Полевой
-
Проводимость
-
N-канал
-
Корпус транзистора
-
TO-220FP
-
Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
-
14
-
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
-
0,55
-
Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
-
25
-
Пороговое напряжение на затворе, В
-
4
-
Напряжение сток-исток Uси (max), В
-
600
110 руб.
110 руб.
0%
-
Тип транзистора
-
Полевой
-
Проводимость
-
N-канал
-
Корпус транзистора
-
TO-220
-
Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
-
80
-
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
-
0,012
-
Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
-
133
-
Пороговое напряжение на затворе, В
-
3
-
Напряжение сток-исток Uси (max), В
-
80
86 руб.
86 руб.
0%
-
Тип транзистора
-
Полевой
-
Проводимость
-
N-канал
-
Корпус транзистора
-
TO-220F
-
Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
-
12
-
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
-
1
-
Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
-
48
-
Пороговое напряжение на затворе, В
-
4
-
Напряжение сток-исток Uси (max), В
-
800
145 руб.
145 руб.