ST Microelectronics
- Тип транзистора
- IGBT
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 375
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
Транзистор STGW60V60DF N-канал
- Тип транзистора
- IGBT
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 375
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 14
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,55
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 25
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
110 руб.
шт
Wayon Corporation
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,012
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 133
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 80
86 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 12
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 48
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 800
145 руб.
шт
Wayon Corporation
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- D-PAK
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,012
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 133
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 80
57 руб.
шт