Advanced Power Electronics Corp.
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- DIP8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
143 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 110
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,008
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
79 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 110
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,008
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
78 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- DirectFET
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 110
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0012
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,8
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
798 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 50
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,04
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 300
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200
421 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220-3
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 21
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,19
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 208
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 650
629 руб.
шт
CHANGJIANG
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-92
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,4
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
12 руб.
шт
NXP
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 7,5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,35
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 0,8...3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
8 руб.
шт
Hitachi
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- ТО-3P
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,4
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 100
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 160
1 022 руб.
шт
Sanyo
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 2
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 30
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
130 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-92
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 0,1
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 0,1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 50
47 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- ТО-3
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 150
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 900
281 руб.
шт
Показать ещё