International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 42
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,036
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 160
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
Транзистор IRF1310N N-канал
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 22A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 42A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1900pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 42
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,036
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 160
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100