Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 20
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,004
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
Транзистор IRF7832TRPBF N-канал
VDSS30V
RDS(on) max 4mOhm@VGS = 10V
Qg 34nC
- Тип транзистора
- Полевой
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 20
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,004
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 10
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 25
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
80 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 80
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,009
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 140
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 75
69 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 120
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,003
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 300
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
139 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 14
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,55
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 25
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
110 руб.
шт