ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,72
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 30
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3,75
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
Транзистор STP9NK50ZFP N-канал
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7.2A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 910pF @ 25V
Power - Max 30W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220FP
Корпус TO-220FP
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,72
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 30
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3,75
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500