Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,3
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 82
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200
Транзистор IRF630 N-канал
N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220
Mesh overlay™ II Power MOSFET
VDS Drain-source voltage (VGS = 0) 200V
VDGR Drain-gate voltage (RGS = 20 kΩ) 200V
ID Drain current (continuous) at TC = 25°C 9A
ID Drain current (continuous) at TC=100°C 5,7A
VGS Gate-source voltage ± 20 V
IDM (2) Drain current (pulsed) 36 A
PTOT Total dissipation at TC = 25°C 75W
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,3
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 82
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200