ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 30
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,04
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 75
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 50
Транзистор BUZ11 N-канал
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С
Iси макс..А 30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 75
Пороговое напряжение на затворе 4
Крутизна характеристики S,мА/В 8000
Корпус TO220AB
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 30
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,04
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 75
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 50