ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Полевой
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 10,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,53
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 136
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 400
Транзистор FQP11N40C N-канал
N-Channel QFET
MOSFET 400 V, 10.5 A, 530 mΩ
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10,5А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 530
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 135
- Тип транзистора
- Полевой
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 10,5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,53
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 136
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 400
Toshiba
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,9
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 40
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 600
89 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,85
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
43 руб.
шт
Fujitsu
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- ТО-3
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 16
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,8
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 44
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
440 руб.
шт