Транзистор SSF7509 N-канал
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 165 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 80 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 80 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr): 15.2
Ёмкость стока (Cd): 330 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.008 Ом
Корпус: TO220