ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 30
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3,75
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 800
Транзистор STP8NK80ZFP N-канал
N-channel 800V - 1.9Ω - 6.2A - TO-220FP
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
VDS Drain-source voltage (VGS = 0) 800 V
VGS Gate-source voltage ± 30 V
ID Drain current (continuous) at TC = 25°C 6.2 A
ID Drain current (continuous) at TC=100°C 3.9 A
IDM(2) Drain current (pulsed) 24.8 A
PTOT Total dissipation at TC = 25°C 30 W
VESD(G-S) Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5ΚΩ) 4000 V
dv/dt (3) Peak diode recovery voltage slope 4.5 V/ns
VISO Insulation withstand voltage (RMS) from all three leads to external heat sink (t=1s; Tc= 25°C) - 2500 V
Operating junction temperature Storage temperature -55 to 150 °C
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,2
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 1,5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 30
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3,75
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 800