- Тип транзистора
- Полевой
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0017
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 22
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
HKTD4N50 /TO-252 Одиночные MOSFET транзисторы Hottech
- Тип транзистора
- Полевой
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0017
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 22
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
Fujitsu
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- ТО-3
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 16
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,8
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 44
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
440 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,85
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 500
43 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 160
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0042
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 230
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
135 руб.
шт
Unknown
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 75
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 395
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 650
- Корпус транзистора
- TO-247
585 руб.
шт