ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 35
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,029
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 70
Транзистор VNP35N07 N-канал
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 70В; 35А; TO220
OMNIFET fully autoprotected Power MOSFET
• Automotive qualified
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET
Vin Input voltage 18 V
IR Reverse DC output current -50 A
Vesd Electrostatic Discharge (C = 100 pF; R = 1.5 KΩ) 2000 V
Ptot Total dissipation at TC = 25°C 125 W
Tstg Storage temperature -55 to 150 °C
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 35
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,029
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 125
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 70