Китай
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 40
- Корпус транзистора
- SOT-223
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 250
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 130
24 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,35
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 40
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 250
6 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,05
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 150
- Корпус транзистора
- ISO126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 80
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 150
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 200
114 руб.
шт
Sanyo
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 30
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 60
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 115
19 руб.
шт
NEX-NXP
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- PNP
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 1
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 60
- Корпус транзистора
- SOT-223
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 250
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 145
24 руб.
шт
NXP
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 12,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 80
- Корпус транзистора
- TO-126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 80
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 190
18 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Биполярный составной
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 12
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 33
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-220FP
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 750
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 1
66 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 10
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 60
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 200
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 10
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 400
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 5
57 руб.
шт
Sanyo
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,25
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 500
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 45
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
6 руб.
шт
Интеграл
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,25
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 20
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 1000
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 20
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
4.50 руб.
шт
СССР
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,15
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 35
- Корпус транзистора
- КТ-13
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 50
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 35
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 250
4.50 руб.
шт
Кремний
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 10
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 60
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 12
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 3
135 руб.
шт
Интеграл
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 2
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 8
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Корпус транзистора
- TO-126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 750
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 45
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 200
56 руб.
шт
Unknown
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,8
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 30
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 300
6 руб.
шт
Unknown
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,2
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,31
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 40
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 40
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 300
4.50 руб.
шт
Unknown
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,6
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,31
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 160
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 80
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 180
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
6 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,3
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 200
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
38 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,9
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 160
- Корпус транзистора
- TO-226
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 160
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
15 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 20
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 180
- Корпус транзистора
- TO-220FA
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 70
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 180
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
76 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 20
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 170
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 80
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 230
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
89 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 15
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 150
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 230
- Корпус транзистора
- ТО-3P
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 60
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 230
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 30
235 руб.
шт
Sanyo
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 15
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 80
- Корпус транзистора
- TO-251
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 200
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 80
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 400
16 руб.
шт
Rohm
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 3
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 25
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 50
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 160
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 70
86 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 6
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 50
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 600
- Корпус транзистора
- ТО-3
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 25
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 1500
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 2
265 руб.
шт
NEC
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 3
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 10
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 30
- Корпус транзистора
- TO-126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 60
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 90
12 руб.
шт
NEC
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 3
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 1
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 30
- Корпус транзистора
- TO-252
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 60
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 90
19 руб.
шт
UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD.
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 3
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 30
- Корпус транзистора
- SOT-89
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 90
7 руб.
шт
Rohm
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,75
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 20
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 150
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
32 руб.
шт
Philips
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 65
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 290
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 80
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
12 руб.
шт
Philips
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 290
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 50
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
12 руб.
шт
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 420
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 50
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
11 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 65
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 450
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 10
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 1000
96 руб.
шт
Unknown
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,15
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 50
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 130
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 80
4.50 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 12
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 100
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 400
- Корпус транзистора
- ТО-3
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 8
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 700
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
197 руб.
шт
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 8
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 80
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 1000
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 8
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 700
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
124 руб.
шт
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 12
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 100
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 400
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 8
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 700
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
62 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,07
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 1
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 25
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 60
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 30
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 650
7.50 руб.
шт
KEC
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 12
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 100
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 140
- Корпус транзистора
- ТО-3P
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 60
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 150
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 15
171 руб.
шт
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 40
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 400
- Корпус транзистора
- TO-126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 8
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 400
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
11 руб.
шт
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 4
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 75
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 400
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 8
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 700
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
64 руб.
шт
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 8
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 80
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 400
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 8
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 700
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
48 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,35
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 40
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 75
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 300
5 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 40
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 40
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 300
5 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,6
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,35
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 160
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 80
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 180
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
3 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,625
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 300
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 25
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 300
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 50
12 руб.
шт
Unknown
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,3
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 25
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 120
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
3 руб.
шт
Unknown
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,3
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 25
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 120
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
4.50 руб.
шт
Unknown
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 200
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 50
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
6 руб.
шт
Unknown
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,05
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 15
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 70
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 30
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 600
4.50 руб.
шт
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,3
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 25
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 250
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
22 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 4
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 75
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 400
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 8
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 700
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
57 руб.
шт
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 12
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 100
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 400
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 8
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 700
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
159 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Биполярный составной
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 65
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 1000
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
40 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Биполярный составной
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 10
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 125
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 1000
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
47 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 15
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 90
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-247
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 70
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
135 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 3
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 40
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 10
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 1
16 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 25
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 125
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-247
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 15
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 3
163 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 6
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 65
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 15
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 3
32 руб.
шт
Diodes Incorporated
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 1
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 200
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
220 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,75
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 50
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 60
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
14 руб.
Rohm
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 60
- Корпус транзистора
- SOT-89
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 300
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 80
106 руб.
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,31
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 800
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 45
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
12 руб.
MCCSEMI
- Тип транзистора
- Биполярный сборка
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,15
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,15
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 50
- Корпус транзистора
- SOT-363
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 120
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 180
58 руб.
Интеграл
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 30
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 60
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 15
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 20
96 руб.
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 15
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 115
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 60
- Корпус транзистора
- ТО-3
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 20
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 2,5
928 руб.
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 25
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 130
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 40
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 150
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
47 руб.
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 2
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 25
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 140
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 70
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 160
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
41 руб.
Fairchild
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,2
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 20
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 120
- Корпус транзистора
- TO-126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 150
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 160
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 175
114 руб.
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 10
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 120
- Корпус транзистора
- TO-126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 80
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 120
99 руб.
Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 2
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 20
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 180
- Корпус транзистора
- TO-220F
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 180
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 200
66 руб.
Sanyo
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 50
- Корпус транзистора
- TO-251
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 200
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 80
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 330
19 руб.
Hitachi
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,9
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 60
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 140
28 руб.
Philips
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 420
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 50
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
9 руб.
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 420
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 50
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
14 руб.
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 6
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 65
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 100
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 30
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 3
192 руб.
Unknown
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,15
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 50
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 130
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
4.50 руб.
Hitachi
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 1
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 160
- Корпус транзистора
- TO-126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 60
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 180
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 140
21 руб.
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 16
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 250
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 200
- Корпус транзистора
- TO-204
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 15
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 350
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
166 руб.
Unknown
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 1
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 25
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 85
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
3 руб.