Транзистор 2SC536 NPN
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 30 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.1 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 125 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 115 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 60
Корпус: TO92