Транзистор 2N2222 NPN
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 30 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.8 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 175 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 100