International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- D-PAK
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 31
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,065
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 110
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
162 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- TO-247
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 12
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 150
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 200
397 руб.
шт
Hitachi
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- ТО-3
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 7
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 100
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 160
1 024 руб.
шт
Toshiba
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- TO-252
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 12
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,13
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 23
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
69 руб.
шт
Alpha & Omega
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- SOIC-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 12
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,011
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3,1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2,3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
103 руб.
шт
ANPEC Electronics Corp.
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2P-канал
- Корпус транзистора
- SOP-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5,8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,039
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3,2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
32 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- PG-TSDSON-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 45
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,009
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 52
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
160 руб.
шт
HotTech
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- PDFN3*3-8l
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 60
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0075
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 32
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
22 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 74
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,020
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
65 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 74
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,020
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
128 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 31
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,06
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 110
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
244 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2P-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,1
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
96 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2P-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,049
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
83 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2P-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4,9
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,022
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
83 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2P-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,017
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
143 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2P-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 3,4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,095
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 2
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
86 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 6,7
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,04
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 20
77 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 10
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,020
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
87 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 23
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,117
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 140
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
78 руб.
шт
VISHAY
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- SOT-223
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 1,8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,5
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 3,1
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
73 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- I-PAK
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 31
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,06
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 110
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
111 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- I-PAK
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 8,8
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,28
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 42
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
77 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 4,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,085
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 1,3
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 0,55
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 12
12 руб.
шт
ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- 2P-канал
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 2,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,13
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
151 руб.
шт
Fairchild
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- I-PAK
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 9,4
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,15
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2,5
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
41 руб.