ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 2,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,13
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
Транзистор NDS9948 P-канал
Dual P
VDS = -60V
ID = -2,3A
RDS(ON) < 25mΩ
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Корпус транзистора
- SO-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 2,3
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,13
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,5
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
HotTech
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- PDFN3*3-8l
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 60
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,0075
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 32
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
22 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 74
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,020
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 4
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
65 руб.
шт
International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 23
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,117
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 140
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 100
78 руб.
шт
Infineon
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- P-канал
- Корпус транзистора
- PG-TSDSON-8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 45
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,009
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 52
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 30
160 руб.
шт