Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- PNP
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,2
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 1
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 50
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 50
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 180
Транзистор 2SA684 PNP
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 1 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 50 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 1.2 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 125 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 50
Корпус: TO92
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- PNP
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,2
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 1
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 50
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 50
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 180