Транзистор B649A PNP

картинка Транзистор B649A PNP | ВсеКомпоненты.ру
Тип транзистора
Биполярный
Проводимость
PNP
Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
1,5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
20
Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
160
Корпус транзистора
TO-126
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
100
Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
180
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
140
18 руб.
шт

Транзистор B649A PNP

Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 20 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 160 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 0 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 1.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 100
Корпус: TO126

Тип транзистора
Биполярный
Проводимость
PNP
Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
1,5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
20
Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
160
Корпус транзистора
TO-126
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
100
Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
180
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
140