Транзистор 2N5401 PNP

картинка Транзистор 2N5401 PNP | ВсеКомпоненты.ру
Тип транзистора
Биполярный
Проводимость
PNP
Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
0,6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0,31
Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
150
Корпус транзистора
TO-92
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
60
Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
100
4.50 руб.
Заказать

Транзистор 2N5401 PNP

Материал p-n-перехода: Si

Структура транзистора: PNP

Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W

Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 150 V

Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 A

Предельная температура p-n перехода (Tj): 135 C

Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 60

Тип транзистора
Биполярный
Проводимость
PNP
Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
0,6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0,31
Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
150
Корпус транзистора
TO-92
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
60
Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
100