Транзистор 2N5401 PNP
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 150 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 135 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 60