ON Semiconductor
- Тип диода
- Шоттки
- Прямой ток, А
- 0.2
- Обратное напряжение, В
- 30
- Материал диода
- Кремниевый
- Корпус
- SOT−23
BAT54S-E3-08
Schottky Barrier Diodes, up to 900mA, ON Semiconductor
Diode Configuration - Одинарный
Максимальная рабочая температура +125 °C
Количество элементов на ИС - 1
Тип корпуса - SOT-23
Максимальный непрерывный прямой ток - 200mA
Тип монтажа - Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
- Тип диода
- Шоттки
- Прямой ток, А
- 0.2
- Обратное напряжение, В
- 30
- Материал диода
- Кремниевый
- Корпус
- SOT−23
VISHAY
- Тип диода
- Диодный мост
- Прямой ток, А
- 35
- Обратное напряжение, В
- 1600
- Материал диода
- Кремниевый
- Корпус
- D-63
1 350 руб.
шт
ST Microelectronics
- Тип диода
- Детекторный
- Прямой ток, А
- 0.05
- Обратное напряжение, В
- 65
- Материал диода
- Германиевый
- Корпус
- DO-7
12 руб.
шт
Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
- Тип диода
- Диодная сборка Шоттки
- Прямой ток, А
- 10
- Обратное напряжение, В
- 150
- Материал диода
- Кремниевый
- Корпус
- TO-220AB
42 руб.
шт