Транзистор IRF7807VD1PBF N-канал

картинка Транзистор IRF7807VD1PBF N-канал | ВсеКомпоненты.ру
Тип транзистора
Полевой
Проводимость
N-канал
Корпус транзистора
SO-8
Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
8,3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
0,017
Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
2,5
Пороговое напряжение на затворе, В
2
Напряжение сток-исток Uси (max), В
30
61 руб.
шт

Транзистор IRF7807VD1PBF N-канал

• Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET
and Schottky Diode
• Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters Up to 5A Output
• Low Conduction Losses
• Low Switching Losses
• Low Vf Schottky Rectifier

Тип транзистора
Полевой
Проводимость
N-канал
Корпус транзистора
SO-8
Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
8,3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
0,017
Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
2,5
Пороговое напряжение на затворе, В
2
Напряжение сток-исток Uси (max), В
30