Транзистор 2SK2625 N-канал
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 30 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 600 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 30 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 4 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Время нарастания (Fr): 20
Ёмкость стока (Cd): 220 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 2 Ом
Корпус: TO220FI