Транзистор IRF540 N-канал
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 150 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 100 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 30 А
Предельная температура (Tj): 175 С
Время нарастания (Fr):
Ёмкость стока (Cd): 2100 Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.077 Ом
Корпус: TO220