Toshiba
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 200
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 25
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 430
- Корпус транзистора
- TO-220SIS
Транзистор GT30G124 N-канал
Наименование: GT30G124
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200(pulse)
Корпус: TO220SIS
- Тип транзистора
- IGBT
- Проводимость
- N-канал
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 200
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 25
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 430
- Корпус транзистора
- TO-220SIS