International Rectifier
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 104
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,008
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55
Транзистор IRL2505 N-канал
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 54A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 104A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 130nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5000pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
- Тип транзистора
- Полевой
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- TO-220AB
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 104
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,008
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 200
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 1,6
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 55