Advanced Power Electronics Corp.
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- DIP8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60
AP9971GD
60В 5А
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, ultra low on-resistance and
cost-effectiveness.
- Тип транзистора
- Полевой сборка
- Проводимость
- N-канал
- Корпус транзистора
- DIP8
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max), А
- 5
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
- 0,05
- Рассеиваемая мощность Pси (max), Вт
- 2
- Пороговое напряжение на затворе, В
- 3
- Напряжение сток-исток Uси (max), В
- 60