ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- PNP
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,6
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,3
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 40
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 200
Транзистор MMBT4403LT1G
Транзистор MMBT4403LT1G, PNP, 40 В, 0.6 А, [SOT-23]
Структура - pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В - 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
40 - Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) - 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин - 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц - 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт - 0.3
Корпус - sot-23
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- PNP
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,6
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,3
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 40
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 200