Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- PNP
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,2
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 40
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 250
Транзистор MMBT3906 PNP
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.2 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 135 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 100
Корпус: SOT23
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- PNP
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,2
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,2
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 40
- Корпус транзистора
- SOT-23
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 40
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 250