Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,625
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 300
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 25
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 300
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 50
Транзистор MPSA42 NPN
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 300 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 25
Корпус: TO92
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,625
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 300
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 25
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 300
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 50