ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 16
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 250
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 200
- Корпус транзистора
- TO-204
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 15
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 350
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
166 руб.
Заказать
Транзистор MJ15022 NPN
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 250
Корпус to204
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 16
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 250
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 200
- Корпус транзистора
- TO-204
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 15
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 350
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4