Транзистор FJP13009H2TU NPN

ON Semiconductor

Тип транзистора: Биполярный
Проводимость: NPN
Максимально допустимый ток ( Iк макс.А): 12
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В: 400
Корпус транзистора: TO-220
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 8
Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В: 700
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц: 4

62 руб.

шт

Транзистор FJP13009H2TU NPN

       Структура - n-p-n
    Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
    Напряжение коллектор-база, не более: 700 В
    Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V
    Ток коллектора, не более: 12 А
    Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
    Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 40
    Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
    Корпус: TO-220