ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 8
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 80
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 1000
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 8
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 700
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4
Транзистор FJP13007TU NPN
Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
Напряжение коллектор-база, не более: 700 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V
Ток коллектора, не более: 8 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 60
Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
Корпус: TO-220
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 8
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 80
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 1000
- Корпус транзистора
- TO-220
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 8
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 700
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 4