NXP
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 12,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 80
- Корпус транзистора
- TO-126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 80
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 190
Транзистор BD139 NPN
Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 1.5 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
Корпус: TO-126
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1,5
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 12,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 80
- Корпус транзистора
- TO-126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 80
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 190