ON Semiconductor
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 420
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 50
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150
Транзистор BC550CBU NPN
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.5
Корпус to92
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 45
- Корпус транзистора
- TO-92
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 420
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 50
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 150