Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,05
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 150
- Корпус транзистора
- ISO126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 80
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 150
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 200
Транзистор 2SC3423 NPN
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 5 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 150 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.05 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 80
Корпус: ISO126
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 0,05
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 5
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 150
- Корпус транзистора
- ISO126
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 80
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 150
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 200