Toshiba
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,9
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 160
- Корпус транзистора
- TO-226
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 160
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100
Транзистор 2SC2383 NPN
Корпус LSTM
Корпус (размер) TO-92-3 (Long Body), TO-226
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 900mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 200mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Transistor Type NPN
- Тип транзистора
- Биполярный
- Проводимость
- NPN
- Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
- 1
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
- 0,9
- Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
- 160
- Корпус транзистора
- TO-226
- Статический коэффициент передачи тока h21э мин
- 100
- Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
- 160
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
- 100