Транзистор 2N5551 NPN

картинка Транзистор 2N5551 NPN | ВсеКомпоненты.ру
Тип транзистора
Биполярный
Проводимость
NPN
Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
0,6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0,31
Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
160
Корпус транзистора
TO-92
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
80
Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
180
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
100
6 руб.
шт

Транзистор 2N5551 NPN

Материал p-n-перехода: Si

Структура транзистора: NPN

Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W

Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 160 V

Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 A

Предельная температура p-n перехода (Tj): 135 C

Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 80

Тип транзистора
Биполярный
Проводимость
NPN
Максимально допустимый ток ( Iк макс.А)
0,6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
0,31
Макс. напр. К-Э(Uкэо макс), В
160
Корпус транзистора
TO-92
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
80
Макс. напр. К-Б (Uкбо макс), В
180
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр., МГц
100